磁控溅射台 型号:JPGF-450
技术指标： 型号配置 JPGF-400 JPGF-450
溅射室尺寸(内径×高 )mm φ400×250 φ450×270
溅射方向 由上往下或由下往上及向心倾斜
极限压力 ≤7×10-5Pa
抽气速率 从大气抽至 5×10-3 Pa≤15min(7×10-4 Pa≤40min)
真空系统 分子泵抽气系统
溅射靶 3个 φ60mm 3个 φ80mm
靶电源 一套DC 一套RF
工件旋转 5~25r/min，可连续旋转溅射和溅射靶下定位溅射
烘烤温度 室温--3000C 可控可调
工艺气体控制 一套质量流量控制器, 一套自动压强仪
用电功率 三相 9kW 三相 11kW
占地面积（宽×身×高） 2200×1500×1900(mm)
性能特点： 磁控靶的面积小，数量多，靶材种类变化大，基片不定尺寸的形状，各种参数变化范围大，所镀膜层有金属、合金、化合物，可镀制单层或多层膜系。
用途： 适用于大学、研究所进行薄膜的教学、科研开发，也适用于企业中小批量生产。
